該設備為專用電化學拋光設備，是針對半導體、真空、制藥、食品等領域高純凈不銹鋼管的內管電化學拋光加工而設計，電化學拋光液在管內流動，加工電（陰）極為活動式，加工過程產生的氣體隨藥液排出管外。
設備特點：自動化程度高，生產效率高，可大批量生產，質量穩(wěn)定，加工成本低，拋光質量好，光亮度高。
內管EP后，Ramin在0.1～0.2μm(2μin～4μin)范圍內；
鈍化膜層：Cr/Fe＞1～1.5，CrO/FeO＞1～2；
可符合SEMI F19-0304及ASME BPE-2012相關標準之要求；
設備規(guī)格型號及性能指標:
| 規(guī)格型號 | 單 位 | MIR-TEP-0 | MIR-TEP-1 | MIR-TEP-2 | MIR-TEP-3 | MIR-TEP-4 |
| 可加工管徑 | mm | ≤Φ5 | Φ6～13 | Φ14～32 | Φ33～89 | ≥Φ89 |
| 可加工管長 | mm | ≤2000 | 2000～4000 | 4000～6000 | 4000～6000 | 4000～8000 |
| 設備功率 | kw | ≤30 | 36 | 48 | 48 | ≥60 |
| 一次加工量 | 根 | 10～20 | 10～15 | 5～10 | 1～5 | 1～5 |
| 輔助電極 | 移動式 | 移動式 | 移動式 | 固定式 | 固定式 | |
| 控制方式 | 手動、自動可選 | |||||
| 加工質量等級 | 依據客戶要求而定 | |||||
| 控制精度 | ≤1% | |||||
| 設備使用環(huán)境 | 0℃～50 ℃ 環(huán)境溫度下 | |||||
注：特殊加工規(guī)格及尺寸也可根據客戶需要定作。
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